ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究
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湖南省教育厅科研基金资助项目(09C321),湖南工业大学教改基金资助项目(2011D44)


First-Principles Research of Lattice Constant Optimization and Electronic Structure of ZnO
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    摘要:

    采用基于密度泛函理论(DFT)框架下局域密度近似平面波超软赝势法,计算了纤锌矿ZnO的晶格常数、弹性模量、能带结构和态密度。理论预测ZnO是一种直接禁带半导体材料,导带底和价带顶都位于布里渊区中心G点处。计算结果与其他文献结果吻合较好,为ZnO光电材料的设计与应用提供了理论依据。

    Abstract:

    Based on the density functional theory (DFT), studied the bulk properties of the wurtzite ZnO such as lattice parameters, bulk modulus, band structure and the density of state by using a plane-wave ultrasoft pseudopotential technique. The theory predicts that the ZnO is a direct band gap semiconductor material, and the bottommost conduction band and the top of valence band are located in the G point of Brillouin zone. The calculation results agree well with the results in other literatures, and provides theoretical basis for the design and application of optoelectronic materials of ZnO.

    参考文献
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    引证文献
引用本文

李雪勇,夏艳琴,刘 归. ZnO晶格常数优化和电子结构的第一性原理研究[J].湖南工业大学学报,2012,26(4):22-25.

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  • 收稿日期:2011-11-23
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  • 在线发布日期: 2012-11-26
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