一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

中图分类号:

基金项目:


The Design of A Novel Self-Biased Bandgap Reference Voltage Source
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
  • |
  • 文章评论
    摘要:

    基于0.6m BCD工艺参数,设计了一种新颖的低温漂、低功耗、高电源抑制比的自偏置带隙基准电压源。电路仿真结果表明:其工作电源电压低至1.7 V,输出基准电压为1.24 V,温度系数仅6.68×10-6 V/℃,电流消耗22 A,电源抑制比高达82 dB。该电压源可广泛应用于模/数、数/模转换电路和电源管理芯片中。

    Abstract:

    Based on 0.6 m BCD process parameters, a novel self-biased bandgap reference voltage source with low-temperature drift, low power consumption and high PSRR was presented.The simulation results by Hspice showed that the voltage source had the working voltage of 1.7 V, the output reference voltage of 1.24 V, the temperature coefficient of only 6.68×10-6 V/℃, current consumption of 22 A and PSRR as high as 82 dB, which can be widely used in A/D, D/A converting circuit and power management chip.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

谭传武,陈卫兵,邹豪杰,李长云.一种新颖自偏置带隙基准电压源的设计[J].湖南工业大学学报,2010,24(3):63-65.

复制
分享
文章指标
  • 点击次数:
  • 下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 引用次数:
历史
  • 收稿日期:2009-11-20
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期: 2015-09-02
  • 出版日期: