电源管理芯片中过热保护电路设计
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湖南省教育厅科研基金资助项目(08C287)


Design of a Over-Temperature Protection Circuit for Power Management Chip
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    摘要:

    利用三极管基-射极电压的负温度特性,设计了一种用于电源管理芯片中的过热保护电路。基于BCD 0.6 m工艺库模型,采用HSPICE仿真软件进行模拟验证,结果表明:当温度超过150 ℃时,电路输出信号发生翻转,电源管理芯片停止工作;当温度降至130 ℃时,芯片恢复工作。在电源电压工作范围2.5~5.5 V内,过温保护阈值变化量为0.7 ℃,迟滞阈值变化量为0.9 ℃,迟滞范围20 ℃。因此,该过热保护电路具有温度灵敏度高、关闭和开启温度点受电源影响较小、电路结构简单、版图面积小和功耗低等特点,适合集成在电源管理芯片中。

    Abstract:

    A simple over-temperature protection circuit with low power consumption is designed for power management ICs(integrated circuits).With 0.6 m BCD technology,Hspice simulation shows that the circuit has high sensitivity to temperature and low power consumption,the errors of shutdown temperature are less than 0.7 ℃ when the shutdown temperature is set at 150 ℃ and the voltage of power source is 2.5 to 5.5 V,and the errors of reswitch-on temperature are less than 0.9 ℃ when the reswitch-on temperature is set at 130 ℃.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

谭传武,陈卫兵,邹豪杰,李忠良,罗天资.电源管理芯片中过热保护电路设计[J].湖南工业大学学报,2009,23(5):31-34.

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  • 收稿日期:2009-07-08
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  • 在线发布日期: 2015-09-02
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